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勻膠機(jī)(SpinCoater)用于晶片基底材料的表面光刻膠涂覆。勻膠機(jī)由樣品臺(tái)、滴膠裝置和空心電動(dòng)機(jī)組成，其工作原理是，通過(guò)在樣品臺(tái)上產(chǎn)生負(fù)壓將需要旋涂的基底材料吸附在樣品臺(tái)上，光刻膠液滴注在基底材料的表面，通過(guò)準(zhǔn)確控制電動(dòng)機(jī)的旋轉(zhuǎn)速度，以此來(lái)改變離心力的大小，同時(shí)通過(guò)控制膠液的流量來(lái)達(dá)到制備薄膜所需的厚度。常用的滴膠方式分為兩種：即靜態(tài)滴膠和動(dòng)態(tài)滴膠。靜態(tài)滴膠是在基片靜止時(shí)將光刻膠滴注到基片的中心位置，滴膠量約為1-10ml,但在滿(mǎn)足厚度需求的前提下，滴膠量還應(yīng)根據(jù)光刻膠的...

多功能磁控濺射儀主要由濺射真空室、磁控濺射靶、基片水冷加熱公轉(zhuǎn)臺(tái)、工作氣路、抽氣系統(tǒng)、安裝機(jī)臺(tái)、真空測(cè)量及電控系統(tǒng)等部分組成。工作原理：是指電子在電場(chǎng)E的作用下，在飛向基片過(guò)程中與氬原子發(fā)生碰撞，使其電離產(chǎn)生出Ar正離子和新的電子;新電子飛向基片，Ar離子在電場(chǎng)作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產(chǎn)生的二次電子會(huì)受到電場(chǎng)和磁場(chǎng)作用，產(chǎn)生E(電場(chǎng))×B(磁場(chǎng))所指的方向漂移，簡(jiǎn)稱(chēng)E×B漂移，其運(yùn)動(dòng)軌...

開(kāi)爾文探針提供了一種無(wú)損、無(wú)觸點(diǎn)的方法來(lái)測(cè)量各種材料組合的功函數(shù)差。這些探針可具有多種設(shè)計(jì)，包括不同的頂端形狀、長(zhǎng)度和半徑。為了確定最佳設(shè)計(jì)，同時(shí)最大限度地減少測(cè)試。開(kāi)爾文探針可以確定材料的接觸電勢(shì)差(或功函數(shù)差)。這種探針基于時(shí)變電容器，使用兩個(gè)電極工作：由功函數(shù)已知的材料制成的可移動(dòng)探針。由功函數(shù)未知的材料制成的固定樣品。當(dāng)這些電極電連接時(shí)，費(fèi)米能級(jí)達(dá)到平衡。功函數(shù)較低的材料中的電子流入功函數(shù)較高的材料中，這種流動(dòng)產(chǎn)生接觸電勢(shì)差，為電容器充電。此外，可移動(dòng)電極中的振動(dòng)改變...

磁控濺射鍍膜機(jī)是一種普適鍍膜機(jī)，用于各種單層膜、多層膜和摻雜膜系?？慑兏鞣N硬質(zhì)膜、金屬膜、合金、化合物、半導(dǎo)體、陶瓷膜、介質(zhì)復(fù)合膜和其他化學(xué)反應(yīng)膜，亦可鍍鐵磁材料。主要用于實(shí)驗(yàn)室制備有機(jī)光電器件的金屬電極及介電層，以及制備用于生長(zhǎng)納米材料的催化劑薄膜層。磁控濺射鍍膜機(jī)主要優(yōu)勢(shì)：1、實(shí)用性：1.1、設(shè)備集成度高，結(jié)構(gòu)緊湊，占地面積小，可以放置于實(shí)驗(yàn)桌面上即可；1.2、通過(guò)更換設(shè)備上下法蘭可以實(shí)現(xiàn)磁控與蒸發(fā)功能的轉(zhuǎn)換，實(shí)現(xiàn)一機(jī)多用；2、方便性：2.1、設(shè)備需要拆卸的部分均采用即插...

脈沖激光沉積也被稱(chēng)為脈沖激光燒蝕，是一種利用激光對(duì)物體進(jìn)行轟擊，然后將轟擊出來(lái)的物質(zhì)沉淀在不同的襯底上，得到沉淀或者薄膜的一種手段。發(fā)展歷程：脈沖激光沉積的發(fā)展與探究，處處受制。事實(shí)上，當(dāng)時(shí)的激光科技還未成熟，可以得到的激光種類(lèi)有限；輸出的激光既不穩(wěn)定，重復(fù)頻率亦太低，使任何實(shí)際的膜生成過(guò)程均不能付諸實(shí)行。因此，PLD在薄膜制作的發(fā)展比其它技術(shù)落后。以分子束外延（MBE）為例，制造出來(lái)的薄膜質(zhì)素就優(yōu)良得多。往后十年，由于激光科技的急速發(fā)展，提升了PLD的競(jìng)爭(zhēng)能力。與早前的紅寶...

深能級(jí)瞬態(tài)譜儀是半導(dǎo)體領(lǐng)域研究和檢測(cè)半導(dǎo)體雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)、界面態(tài)等的重要技術(shù)手段。根據(jù)半導(dǎo)體P-N結(jié)、金－半接觸結(jié)構(gòu)肖特基結(jié)的瞬態(tài)電容（△C～t）技術(shù)和深能級(jí)瞬態(tài)譜（DLTS）的發(fā)射率窗技術(shù)測(cè)量出的深能級(jí)瞬態(tài)譜，是一種具有*檢測(cè)靈敏度(檢測(cè)靈敏度通常為半導(dǎo)體材料中摻雜濟(jì)濃度的萬(wàn)分之一)的實(shí)驗(yàn)方法，能檢測(cè)半導(dǎo)體中微量雜質(zhì)、缺陷的深能級(jí)及界面態(tài)。通過(guò)對(duì)樣品的溫度掃描，可以給出表征半導(dǎo)體禁帶范圍內(nèi)的雜質(zhì)、缺陷深能級(jí)及界面態(tài)隨溫度（即能量）分布的DLTS譜。集成多種全自動(dòng)的測(cè)量模式...