金屬有機化合物化學氣相沉積鍍膜設備

我們提供了一套完整的MOCVD，主要產品包括臺式研發(fā)型、中試型和生產型。其反應器的設計可以根據工藝的需要很容易提升到滿足大直徑晶片生產的需要。我們也能為客戶設計以滿足客戶特殊工藝和應用的需要。系統(tǒng)部件包括：反應器、氣體傳輸系統(tǒng)、電氣控制系統(tǒng)和尾氣處理系統(tǒng).
應用方向：氧化物、氮化物、碳化物、硫族（元素）化物、半導體等。
提供適用不同材料研究需要的反應器：
透明導體氧化物（TCO）應用于LCD、太陽能電池、透明加熱器、電極、LED、OLED等方面包括：P型ZnO, ITO, SrCuO,MgAlO,SrRuOm等MOCVD系統(tǒng)；
MEMS & MOEMs包括：PZT, ZrO, NbO,LiNbO, TiO2，SiO2，PbMgO, CMO，Ta2O5等MOCVD系統(tǒng)；金屬有機金屬有機化合物化學氣相沉積鍍膜設備
儲存器 (DRAM & NVRAM)介電/鈍化材料應用于柵極、介電層、鐵電、高頻設備、鈍化、保護層等，包括：BST，PZT, SBT, CMO, BLT，Hf(Si)O, Ta2O5,，Zr(Si)O,Al2O3, MgO等MOCVD系統(tǒng)；
波導, 光電, WDMs. MOEMS 等材料，包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系統(tǒng)；
其他材料如：超導、氮化物、氧化物、磁性材料、包括：YBCO, PZT, ZnO, ZnSiO:Mn, GaN，SiC, Al, W, Cn等MOCVD系統(tǒng)；
金屬及合金, 氧化物, 氮化物, III-V, II-VI,...；
半導體: SiO2, HfO2, Ta2O5, Cu, TiN, TaN, ...；
氮化物及合金: GaN, AlN, GaAs, GaAsN...；
高介電材料:SrTiO3, BaTiO3, Ba(1-x)SrxTiO3 (BST)...；
鐵電材料: SBT, SBTN, PLZT, PZT,…；
超導材料:YBCO, Bi-2223, Bi-2212, Tl-1223, …；
壓電材料: (Pb, Sr)(Zr,Ti)O3, 改性鈦酸鉛...；
金屬:Pt, Cu,...；
巨磁阻材料...；
熱涂層, 阻擋層, 機械涂層, 光學材料...。


我們提供了從桌面型反應器（針對研究和提高的需要）到自動化生產系統(tǒng)。出于材料變化種類的適應性和經濟價格的考慮，對任何研究人員來說桌面型反應器是最合適的選擇，而且也極容易升級為量產型。
科研型MOCVD設備，包含液體直接注入ALD工藝，同一腔室完成沉積和退火。
-更低的設備及使用成本、更少的前驅體源使用、更小的腔體尺寸、跟高的薄膜沉積品質！
-非常適合高校及研究所科研使用！

儀器參數：
1/ 1~4英寸MOCVD系統(tǒng)；
2/ 專為滿足科研單位需求而設計；
3/ MOCVD系統(tǒng)可在不同基底上，以MOCVD方式，在固體、液體有機金屬基源上沉積氧化物、氮化物、金屬、III-V 和 II-VI膜層；
4/ MOCVD配有前驅體直接處理單元，可在大范圍內使用MO源，用于外延材料的研發(fā)和制備；
5/ MOCVD腔室中的紅外燈加熱系統(tǒng)可實現在線退火工藝；

性能及特點：
1， 溫度范圍: 室溫至1200°C ；
2， 帶質量流量控制器的氣體混合性能；
3， 真空范圍: ~ 10-3 Torr，可選配高真空；
4， 選配手套箱；
5， 已被客戶廣泛接受
6， 堅固耐用
7， 可靠性高
8， 良好的可重復性
9， 經濟適用