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簡要描述：全自動 大尺寸 光刻機公司開發(fā)并生產(chǎn)用于半導體、MEMS、LED及納米技術(shù)相關(guān)的實驗室和工業(yè)領(lǐng)域的光罩對準曝光機和甩膠機，是韓國*家研發(fā)并商業(yè)化光罩對準曝光機的企業(yè)，始終致力于不斷完善、增強技術(shù)型企業(yè)的核心競爭力。
產(chǎn)品型號：廠商性質(zhì)：代理商更新時間：2025-02-27訪 問 量：693產(chǎn)品分類
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全自動 大尺寸 光刻機
MIDAS SYSTEM公司開發(fā)并生產(chǎn)用于半導體、MEMS、LED及納米技術(shù)相關(guān)的實驗室和工業(yè)領(lǐng)域的光罩對準曝光機和甩膠機，是韓國*家研發(fā)并商業(yè)化光罩對準曝光機的企業(yè)，始終致力于不斷完善、增強技術(shù)型企業(yè)的核心競爭力。
全自動 大尺寸 光刻機
MIDAS SYSTEM公司具有專業(yè)化的設(shè)計團隊，以客戶需要為己任，生產(chǎn)、供應(yīng)滿足國內(nèi)外企業(yè)、科研院所不斷增長的應(yīng)用需求，并且提供半導體工藝相關(guān)的設(shè)備需要。
MDA-12SA型曝光機是一款MIDAS公司新開發(fā)的產(chǎn)品，代表了下一代全區(qū)域光刻系統(tǒng)。這一新型半自動化對準曝光平臺具有更高的重復(fù)光刻精度以及更可靠的操作，非常適合陶瓷及其他探針卡應(yīng)用，同時MDA-12SA型半動化光罩對準曝光機具有更高的生產(chǎn)能力和容易操控。
| 項目 | 參數(shù) |
| 光源能量 | 紫外曝光光源光強2000～5000W，輸出能量可控 |
| 光束范圍 | 14.25″× 14.25″ |
| 均勻光束范圍 | 13.25″× 13.25″ |
| 光束均勻性 | ＜3%～5% |
| 365nm輸出光束強度 | 5KW 25～60mW/cm2，2 KW 15～30mW/cm2 |
| 400nm輸出光束強度 | 5KW 50～100mW/cm2，2 KW30～50mW/cm2 |
| 可調(diào)節(jié)曝光時間 | 0.1～999.9s |
| 范圍觀察 | 顯微鏡/CCD相機安裝（480～1000倍可變放大,1600倍可選） |
| 電動觀察范圍移動 | 顯微鏡x、y、z電動操作（手柄控制） |
| 電動樣品臺 | 樣品臺x、y、z、Theta電動操作 |
| 卡盤移動 | 大范圍。靜態(tài)對準工具模塊進行x、y、z、Theta移動 |
| 卡盤水平 | 楔形誤差補償（楔形位置自動感應(yīng)，壓力傳感器，警報） |
| 基片尺寸 | 直至14″× 14″ |
| 掩模板規(guī)格 | 可替換的直至15″× 15″ |
| 真空卡盤移動 | x、y：10mm；Theta：4× |
| Z向移動距離 | 10mm |
| 接觸模式 | 接近式、軟接觸式、硬接觸式、真空接觸式（真空接觸力可調(diào)節(jié)） |
| 接近調(diào)節(jié) | 1μm步進可調(diào)節(jié)程序化控制系統(tǒng) |
| 對準精度 | 1μm |
| 顯示器 | 17″觸屏 |
| 氣動控制 | 基片、掩膜、接觸、接觸調(diào)節(jié)、卡盤鎖、N2、N2調(diào)節(jié) |
| 分辨率 | 1μm（真空接觸下近紫外） |
| 擺放 | 防震桌 |
| 選件 | CCD BSA、DUV、紫外強度計 |
■ Auto Exposure / Alignment System
■ 2~6 inch wafer process
■ Interface between Aligner and Robot : RS-232C
■ Auto Loading and Unloading Using Double Robot Arm
■ Auto-Alignment with Vision System
■ Pre-Alignment and Automatic Positioning
■ Anti-Vibration Table
■ Dual CCD Auto zoom Microscope ? Variable Magnification : Max. 1400x
■ 17inch LCD touch monitor
■ Wedge Error Compensation
■ Throughput :Alignment : 120WPH PSS, First layer : 170WPH
| Item | Specification | |
| Exposure System | Lamp Power | 350W UV Lamp(OSRAM) |
| Resolution | 0.8um (Vacuum contact) | |
| Beam Uniformity | ≤ ± 5% (6inch standard) | |
| Intensity | 20~25mW/cm2:350~450nm | |
| Adjustable Exposure Time | 0.1 to 999.9 sec | |
| Alignment System | Alignment Accuracy | 1um |
| Alignment Gap | 20 to 200um | |
| Pre-Alignment Accuracy | ± 50um | |
| Process Mode | Vacuum, Hard, Soft Contact and Proximity | |
| *Proximity Gap is 20um to 200um | ||
| Proximity Adjustment | adjustable 1 micron increments Program Control System | |
| Throughput | >120 wafer/hour (Auto alignment) 170 wafer/hour (PSS, First layer) | |
| Sample | Substrate | 2 ~ 6 inch |
| Mask Size | 3 ~ 7 inch | |
| Utilities | Vacuum | > 650mmHg |
| CDA | > 6Kg/cm2 | |
| N2 | > 4Kg/cm2 | |
| Electricity | 220V, 30A, 1Phase | |
| Monitor | Touch LCD 17" Monitor |
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